[发明专利]锗硅薄膜的形成方法及形成装置有效
| 申请号： | 201110382848.1 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103132049A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/455;C23C16/50;C30B25/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种锗硅薄膜的形成装置，包括：反应腔室，用于为反应物在晶圆表面形成含锗硅的外延层提供平台；等离子腔室，用于在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将所述含锗的反应物等离子体化，形成等离子锗；所述反应腔室壁上具有开口，等离子腔室位于所述开口内或通过管道与反应腔室的开口连通。相应的，本发明实施例还提供了一种锗硅薄膜的形成方法，能够以较快的沉积速率在晶圆表面形成锗的原子百分比含量高的含锗硅的外延层，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种锗硅薄膜的形成装置，包括：反应腔室，用于为反应物在晶圆表面形成含锗硅的外延层提供平台；等离子腔室，用于在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将所述含锗的反应物等离子体化，形成等离子锗；其特征在于，所述反应腔室壁上具有开口，等离子腔室位于所述开口内或通过管道与反应腔室的开口连通。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
