[发明专利]存储器及其冗余替代方法有效
| 申请号： | 201110379680.9 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102436841A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C29/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器及其冗余替代方法，所述冗余替代方法包括：设置数据读取的基准工作电压，并检测在基准读取时间内数据读取失败的工作单元；使用冗余单元对数据读取失败的工作单元进行同址替代；重新检测各工作单元的数据读取是否失败；在工作单元未有数据读取失败时，调节施加的工作电压使其小于基准工作电压，并且在基准读取时间内各工作单元未有数据读取失败时，将调节后的工作电压作为所述存储器的数据读取电压。本发明利用存储器中的冗余单元将部分工作单元替换，使得各个存储单元所需的工作电压降低，从而有效地降低了存储器在进行读取操作时的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 冗余 替代 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括包含多个存储单元的存储阵列以及外围电路，其特征在于，所述存储单元包括工作单元以及冗余单元，所述工作单元用于数据的存储，所述冗余单元与工作单元的器件结构相同，并与位线以及字线连接，作为所述工作单元的备份；所述外围电路包括读取控制单元，用于在工作单元的读取时间大于基准读取时间时，将所述工作单元替代为冗余单元。
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