[发明专利]单质靶制备SmCo5薄膜的方法

摘要

本发明涉及磁性薄膜材料的制备方法。所制材料包括Cu底层，SmCo5磁性层，Cr防氧化层。其磁性层是通过Sm、Co单一薄层在高温下扩散形成的。薄膜采用脉冲激光沉积法制备，基片为Si(100)单晶，真空室真空度为2×10-4Pa，沉积温度为400℃，激光频率为8Hz，能量190mJ/pulse。Cu底层沉积时间为60分钟，随后Sm/Co靶交替沉积，Sm靶沉积时间为6秒，Co靶沉积时间为3分钟，重复10次。磁性层上镀Cr防氧化层，沉积时间为5分钟。样品经700℃退火30分钟后在真空腔中自然冷却至室温。本发明在制备SmCo5薄膜时区别以往的制备工艺，是一种新的制备SmCo5薄膜的方法。

主权项

一种单质靶制备SmCo5薄膜的方法，其特征是SmCo5磁性层是通过Sm、Co单质薄层在高温下扩散形成的，所制材料包括Cu底层，SmCo5磁性层，Cr防氧化层。