[发明专利]SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110377076.2 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137471A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 韩峰;刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法，包括以下步骤：步骤一、采用深阱注入与衬底隔离以减小集电区漏电流；步骤二、制作N型和P型赝埋层和掺杂集电区，在浅槽隔离底部高剂量、低能量地注入硼离子或磷离子杂质，经过热处理后杂质的扩散，形成N和P型赝埋层；步骤三、利用P型衬底形成P型集电区，由P型赝埋层通过深接触孔引出；步骤四、硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT集电区形成N型基区，由N型赝埋层通过深接触孔引出；步骤五、利用硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT外延P型SiGe基区形成发射区，并由硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT基区引出。本发明可有效减小集电极漏电流，大大改善了器件性能。 | ||
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【主权项】：
一种SiGe HBT工艺中的自隔离型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、采用深阱注入与衬底隔离以减小集电区漏电流；步骤二、制作N型和P型赝埋层和掺杂集电区，在浅槽隔离底部高剂量、低能量地注入硼离子或磷离子杂质，经过热处理后杂质的扩散，形成N和P型赝埋层；步骤三、利用P型衬底形成P型集电区，由P型赝埋层通过深接触孔引出；步骤四、硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT集电区形成N型基区，由N型赝埋层通过深接触孔引出；步骤五、利用硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT外延P型硅锗异质结双极晶体管SiGe基区形成发射区，并由硅锗异质结双极晶体管SiGe HBT基区引出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
