[发明专利]一种可提高硅晶片抛光精度的抛光组合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201110374366.1 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102408837A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 潘国顺;顾忠华;邹春莉;高源 | 申请（专利权）人： | 清华大学;深圳市力合材料有限公司;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 薄观玖 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于化学机械抛光技术领域的一种可提高硅晶片抛光精度的抛光组合物及其制备方法。抛光组合物由功能化二氧化硅溶胶、氧化剂、螯合剂、碱性化合物、表面活性剂和去离子水组成，其中，按重量百分比，磨料为0.05～50wt％，氧化剂为0.001～1wt％，螯合剂为0.001～5wt％，碱性化合物为0.001～10wt％，表面活性剂为0.001～1wt％，余量为去离子水，所述功能化二氧化硅溶胶为氨基化二氧化硅溶胶。使用本发明的抛光组合物抛光硅晶片后晶片表面精度更高、表面腐蚀更少、抛光速率快、平整度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 晶片 抛光 精度 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可提高硅晶片抛光精度的抛光组合物，其特征在于：其由功能化二氧化硅溶胶、氧化剂、螯合剂、碱性化合物、表面活性剂和去离子水组成，其中，按重量百分比，磨料为0.05～50wt％，氧化剂为0.001～1wt％，螯合剂为0.001～5wt％，碱性化合物为0.001～10wt％，表面活性剂为0.001～1wt％，余量为去离子水，所述功能化二氧化硅溶胶为氨基化二氧化硅溶胶。
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