[发明专利]三端自反馈线性恒流器及其制备方法无效
申请号: | 201110373885.6 | 申请日: | 2011-11-22 |
公开(公告)号: | CN102437159A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 李泽宏;唐文雄 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯威科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/098 | 分类号: | H01L27/098;H01L21/8232;H05B37/02 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 孙皓;林虹 |
地址: | 518052 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种三端自反馈线性恒流器及其制备方法,要解决的技术问题是高性价比及可靠驱动LED。本发明由场效应晶体、电阻和可调电阻构成,场效应晶体的源端同电阻的一端相连,场效应晶体的栅端连接到电阻的另一端,可调电阻与电阻并联。本发明的制备方法:制备外延层,离子注入与推结,离子注入,化学汽相淀积,多晶硅的淀积与刻蚀,刻蚀接触孔,金属的淀积与刻蚀。本发明与现有技术相比,在交流电压增加时仍保持恒流输出、达到LED阈值电压后LED导通无延迟、低电压时LED保持明亮,以及保持LED免受电压浪涌影响,在宽电压范围下可保持LED亮度恒定,且在高输入电压时保护LED,成本低,具有输出稳定的优点。 | ||
搜索关键词: | 反馈 线性 恒流器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种三端自反馈线性恒流器,其特征在于:所述三端自反馈线性恒流器由N沟道PN结型场效应晶体(JFET)、电阻(R)和可调电阻(Radj)构成,所述场效应晶体(JFET)的源端(S)同电阻(R)的一端相连,场效应晶体(JFET)的栅端(G)连接到电阻(R)的另一端,可调电阻(Radj)与电阻(R)并联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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