[发明专利]可程控的仪表总线从机电源电路无效

专利信息
申请号: 201110373685.0 申请日: 2011-11-22
公开(公告)号: CN102508508A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 何乐生;王威廉;杨敏 申请(专利权)人: 昆明高驰科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 云南派特律师事务所 53110 代理人: 张怡;岳亚苏
地址: 650091 云南省昆明市*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种仪表总线从机的电源电路,属于仪器仪表技术领域。本发明由程序控制的基准电压产生电路和射极跟随器构成,所述的程序控制的基准电压产生电路是由电阻、两个稳压二极管、增强型NMOS管和单片机MCU构成,电阻R1与两个稳压二极管串联,与上述稳压二极管之一并联的增强型NMOS管通过单片机MCU的I/O口和NMOS管VM的栅极相连,R2连接在单片机MCU的I/O口与NMOS管VM的栅极之间,R3连接在单片机MCU的I/O口与正电源之间;所述的射极跟随器为两只接成达林顿形式的三极管V1、V2,两个三极管V1、V2的集电极连接仪表总线的高电压端,三极管的发射极连接在从机负载RL上;两个三极管构成的射极跟随器的基极与上述程序控制的基准电压产生电路的输出相连。
搜索关键词: 程控 仪表 总线 机电 电路
【主权项】:
一种可程控的仪表总线从机电源电路,其特征在于由程序控制的基准电压产生电路和射极跟随器构成,所述的程序控制的基准电压产生电路是由电阻、两个稳压二极管、增强型NMOS管和单片机MCU构成,电阻R1与两个稳压二极管串联,与上述稳压二极管之一并联的增强型NMOS管通过单片机MCU 的I/O口和NMOS管VM的栅极相连,R2连接在单片机MCU的I/O口与NMOS管VM的栅极之间,R3连接在单片机MCU的I/O口与正电源之间;所述的射极跟随器为两只接成达林顿形式的三极管V1、V2,两个三极管V1、V2的集电极连接仪表总线的高电压端,三极管的发射极连接在从机负载RL上;两个三极管构成的射极跟随器的基极与上述程序控制的基准电压产生电路的输出相连。
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