[发明专利]用于制造半导体芯片的方法、用于垂直装配到电路载体上的装配方法和半导体芯片在审
| 申请号： | 201110373184.2 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102479728A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | H-P·贝尔;P·法贝尔;S·魏斯;L·劳舍尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/50;H01L23/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在平行于晶片平面的上侧(56)上具有接触面(22)的半导体芯片在垂直于上侧的连接面侧(14)上具有连接面(12)，其中，每个连接面与一个相对应的接触面(22)导电连接。这样能够实现芯片在载体上的垂直装配并且能够借助于通常的键合技术实现触点接通。说明了一种制造方法和两种装配方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 芯片 方法 垂直 装配 电路 载体 | ||
【主权项】：
用于将半导体芯片垂直地装配到电路载体上的制造方法，所述方法从具有多行芯片(10，86，93)的半导体晶片(42)出发，这些芯片在上侧(56)上具有接触面(22；44，46，78，80)，其中，这些芯片通过锯切线(88，89；94，95)彼此分离，所述方法具有以下方法步骤：a)沿着一个锯切线(88；94)产生基本上方形的凹槽(58，87，96)，所述凹槽具有至少一个垂直于所述上侧(56)并且平行于所述锯切线(88；94)的主面(60，62；90；97，98)；b)在所述晶片的活性表面(48)上以及在至少一个主面(60，62；90；97，98)上施加绝缘层(66)；c)去除接触面(22；44，46，78，80)上方的绝缘层(66)；d)在所述活性表面(48)和所述主面(60，62；90；97，98)上施加金属层(68)，用于建立接触面与主面的导电连接；e)通过去除相邻的主面(60，62；90；97，98)的导电连接之间的金属层来结构化所述金属层(68)；以及f)借助穿过所述凹槽(58，87，96)的锯切截面(84)来锯切所述半导体晶片(42)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
