[发明专利]可挠式基板结构及其制造方法有效
申请号: | 201110373035.6 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN102496599A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 李文渊;邱品翔;薛郁洁;陈俪尹;魏敏芝;林炫佑 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1333 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 刘晓飞;张龙哺 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种可挠式基板结构及其制造方法,该可挠式基板结构的制造方法包括下列步骤。提供具有中央区以及周边区的第一承载基板。在第一承载基板的中央区形成第一粘着层,以及在第一承载基板的周边区形成第二粘着层。利用第一粘着层与第二粘着层将一第一可挠式基板于粘着于第一承载基板上,以形成一可挠式基板结构,其中第一可挠式基板与第二粘着层之间的粘着力大于第一可挠式基板与第一粘着层之间的粘着力。切割可挠式基板结构,以及将第一可挠式基板从可挠式基板结构分离。本发明在可挠式基板上制作电路时不会与下方的承载基板分离,但是在工艺结束后又可轻易与承载基板分离,不仅可增加良率,也可减少工艺时间。 | ||
搜索关键词: | 可挠式基 板结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种可挠式基板结构的制造方法,包括:提供一第一承载基板,该第一承载基板具有一中央区,以及一周边区位于该中央区的至少一侧;在该第一承载基板的该中央区形成一第一粘着层;在该第一承载基板的该周边区形成一第二粘着层;利用该第一粘着层与该第二粘着层将一第一可挠式基板粘着于该第一承载基板上,以形成一可挠式基板结构,其中该第一可挠式基板与该第二粘着层之间的粘着力大于该第一可挠式基板与该第一粘着层之间的粘着力;切割该可挠式基板结构;以及将该第一可挠式基板从该可挠式基板结构分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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