[发明专利]超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，在一衬底上端生长N型外延层；利用高温退火将P阱注入进行推进；在所述N型外延层中形成多个第一沟槽；在所述第一沟槽内填充P型单晶硅，形成P型柱；采用化学机械研磨CMP将所述第一沟槽顶部表面的P型单晶硅去除；利用热氧化在所述N型外延层的顶端生长一层二氧化硅薄膜；采用湿法刻蚀将所述二氧化硅薄膜完全去除；在两个P型柱之间形成一个第二沟槽；在所述第二沟槽中填充多晶硅，利用干法刻蚀进行回刻，将第二沟槽之外的多晶硅去除；利用离子注入在所述第一沟槽两侧的P阱中形成源极区；在所述衬底的背面形成漏极。本发明可以提高工艺方法的稳定性，进而改善器件的电性能。

主权项

一种超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在一衬底上端生长一层具有足够厚度的N型外延层；步骤2，利用光罩在所述N型外延层的上端定义出需要P阱注入的区域，利用高温退火将P阱注入进行推进；步骤3，通过一层光罩定义出沟槽的图案，采用干法刻蚀，在所述N型外延层中形成一定深度的多个第一沟槽；步骤4，采用选择性外延沉积的填充方式，在所述第一沟槽内填充P型单晶硅，形成P型柱；步骤5，采用化学机械研磨CMP将所述第一沟槽顶部表面的P型单晶硅去除，使该第一沟槽的表面磨平；步骤6，利用热氧化在所述N型外延层的顶端生长一层二氧化硅薄膜；步骤7，采用湿法刻蚀将所述二氧化硅薄膜完全去除；步骤8，采用光刻与干法刻蚀在两个P型柱之间形成一个第二沟槽；步骤9，在所述第二沟槽中填充多晶硅，利用干法刻蚀进行回刻，将第二沟槽之外的多晶硅去除；步骤10，利用离子注入在所述第一沟槽两侧的P阱中形成源极区；步骤11，对所述衬底背面减薄和蒸金，在所述衬底的背面形成漏极。