[发明专利]一种测量硅片表面金属杂质的前处理方法有效
| 申请号： | 201110371838.8 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103123904A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李晓丽;孙威 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种测量硅片表面金属杂质的前处理方法，通过配置HF/H2O2/H2O的体积比为1∶1∶10的腐蚀液，将该腐蚀液滴于水平放置的硅片表面中心处，腐蚀液与SiO2从中心朝边缘方向逐渐反应，最后汇聚为1滴，测试该滴腐蚀液中杂质含量，数据处理中扣除腐蚀液中固有杂质含量后即得出硅片表面金属杂质含量。本发明的前处理方法是在每个硅片样品上完成的，过程中不会经过其他容器，处理完毕即可直接进入测量系统，在前处理过程中不存在交叉污染，腐蚀液只需要使用高纯HF和双氧水配置，成本低廉，整个过程自动完成，不需要手动转动硅片，过程简单快速。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 硅片 表面 金属 杂质 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种测量硅片表面金属杂质的前处理方法，其特征在于：所述前处理方法包括下列步骤：1)配制腐蚀液，所述腐蚀液包括HF、H2O2及H2O；2)将硅片水平放置于底座上；3)将配置好的腐蚀液滴于水平放置的硅片表面中心处，腐蚀液与硅片表面的SiO2从中心朝边缘方向逐渐反应，最后汇聚为1滴；4)测试该滴腐蚀液中杂质含量，数据处理中扣除腐蚀液中固有杂质含量后即得出硅片表面金属杂质含量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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