[发明专利]花曲柳的离体快繁方法及其增殖培养基

摘要

花曲柳的离体快繁方法及其增殖培养基，涉及一种花曲柳的离体快繁方法及其增殖培养基。是要解决现有花曲柳快繁方法存在步骤繁琐、休眠芽萌发率低、茎芽增殖率低、生根率低、移栽成活率低、成本高的问题。方法：将花曲柳的休眠枝条水培，切取新的枝条带芽茎段预处理，接种到增殖培养基，获得丛生茎芽；以单个茎芽为单位进行切离，再切割成带顶芽的茎段，接种到生根培养基；将再生植株在培养室内敞口炼苗，洗净根系附着的培养基，再移植到栽培基质中培养至长出的新叶完全展开，获得花曲柳苗木，即完成花曲柳的离体快繁。本发明的方法繁殖周期短、速度快、效率高，茎芽增殖率达100％；繁殖成本低；茎芽生根率和移栽成活率均可达90％以上。

主权项

花曲柳的离体快繁方法，其特征在于花曲柳的离体快繁方法，按以下步骤进行：一、将花曲柳的休眠枝条于室温进行水培，每天换一次水，培养至休眠枝条的休眠芽萌发形成新的枝条，切取新的枝条的带芽茎段进行预处理，然后接种到增殖培养基上，在温度为20～30℃、湿度为40％～80％、光照强度为20～80μmol·m‑2·s‑1的条件下培养，每天光照12～24h，每10～30天更换增殖培养基，培养1～2个月，获得丛生茎芽；所述增殖培养基含有1.0～4.0mg/L细胞分裂素、0～1.0mg/L生长素、20～40g/L蔗糖和5～7g/L琼脂；二、挑选正常发育的丛生茎芽，以单个茎芽为单位进行切离，将切离后的单个茎芽切割成长度为1.5～5.0cm的带顶芽的茎段，然后将带顶芽的茎段接种到生根培养基上，在温度为20～30℃、湿度为40％～80％、光照强度为20～80μmol·m‑2·s‑1的条件下培养，每天光照12～24h、每10～30天更换生根培养基，培养1～2个月，获得再生植株；所述生根培养基含有0.5～2.0mg/L生长素、20～40g/L蔗糖和5～7g/L琼脂；三、将株高达3cm、根系发达且叶片展开的再生植株在培养室内敞口炼苗3～5d，然后洗净根系附着的培养基，再移植到容器中的栽培基质中并浇水，用塑料薄膜覆盖容器口，在温度为20～30℃、湿度为60％～80％、光照强度为40～80μmol·m‑2·s‑1、每天光照12～24h的条件下培养至长出的新叶完全展开后，去掉覆盖的塑料薄膜，获得花曲柳苗木，即完成花曲柳的离体快繁；其中步骤一中增殖培养基为改良的B5培养基，pH值为5～6；步骤一中细胞分裂素为苄基腺嘌呤、玉米素、激动素或噻苯隆；步骤一中的生长素为萘乙酸或吲哚丁酸；步骤二中生根培养基为1/2MS培养基或WPM培养基，pH值均为5～6；步骤二中生长素为萘乙酸或吲哚丁酸；步骤三中栽培基质按体积百分含量由50％的草炭土、40％～50％的蛭石和0％～10％的珍珠岩组成。