[发明专利]一种碳化硅的欧姆电极结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110366469.3 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103117298A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈小龙;郭丽伟;刘春俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅欧姆电极结构及其制备方法。该碳化硅的欧姆电极结构包括碳化硅基底和金属层，以及位于所述碳化硅基底和金属层之间的石墨烯层。本发明的碳化硅欧姆电极结构的接触电阻低且稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 欧姆 电极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅的欧姆电极结构，包括碳化硅基底和金属层，以及位于所述碳化硅基底和金属层之间的石墨烯层。
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