[发明专利]聚吡咯有序纳米孔阵列材料及其制备方法和储能应用有效
| 申请号： | 201110365033.2 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102517638A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 谢一兵;杜洪秀 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B29/58 | 分类号： | C30B29/58;C30B29/66;C30B30/02;H01G9/042 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 211189 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料，具有两端通透、整齐有序排列的纳米孔阵列结构。一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料的制备方法，采用恒电压阳极氧化反应方法制备管壁间隔分离的二氧化钛纳米管并作为模板，采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应方法，在管壁间隔分离的二氧化钛有序纳米管外壁面沉积完整的聚吡咯纳米膜，形成聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，以聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料为前驱体，氢氟酸完全去除模板后得到聚吡咯纳米孔阵列材料。一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。 | ||
| 搜索关键词： | 吡咯 有序 纳米 阵列 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种聚吡咯有序纳米孔阵列材料，其特征在于：所述的聚吡咯有序纳米孔阵列材料为具有两端通透、整齐有序且按阵列排列的纳米孔(1)结构的聚吡咯。
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