[发明专利]寄生横向型PNP器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种寄生横向型PNP器件，由形成于相邻的两个有源区中的N型注入层组成基区，由基区的两个有源区之间的浅槽场氧底部形成的P型掺杂的多晶硅赝埋层组成发射区，由基区的两个有源区两侧的浅槽场氧底部形成的P型掺杂的多晶硅赝埋层组成集电区。最后形成的器件的结构为C-B-E-B-C，该结构能将器件的基区的电流通路变成直线型，能提升器件的电流能力，使器件的电流增益和频率特征都得到显著的改善；还能减少器件的面积，提高电流密度。多晶硅赝埋层能降低发射极和集电极的连接电阻且使阻值均匀，能较大的提高器件的截止频率。本发明还公开了一种寄生横向型PNP器件的制造方法。

主权项

一种寄生横向型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，寄生横向型PNP器件包括：一基区，由形成于两个相邻的第一有源区和第二有源区中的N型注入层组成，所述第一有源区和所述第二有源区中间的所述浅槽场氧为第一浅槽场氧，位于所述第一有源区和所述第二有源区两侧的所述浅槽场氧分别为第二浅槽场氧和第三浅槽场氧，所述第一有源区和第二有源区中的N型注入层的深度大于所述浅槽场氧的深度并横向延伸到所述第一浅槽场氧、第二浅槽场氧和第三浅槽场氧底部并连接成一个整体；在所述第一有源区顶部形成有第一N型多晶硅，在所述第二有源区顶部形成有第二N型多晶硅，所述第一N型多晶硅和所述第二N型多晶硅都和所述基区相接触，在所述第一N型多晶硅和所述第二N型多晶硅的顶部分别形成有金属接触并分别引出第一基极和第二基极；在所述第一浅槽场氧、第二浅槽场氧和第三浅槽场氧的底部都分别形成有一槽，在所述槽中填充有多晶硅，由填充于所述槽中的所述多晶硅形成多晶硅赝埋层，在所述多晶硅赝埋层中掺入有P型杂质，所述P型杂质还扩散至所述多晶硅赝埋层周侧的所述硅衬底中形成第一P型掺杂区，所述多晶硅赝埋层和所述第一P型掺杂区都被所述基区的底部的所述N型注入层包围并相接触；由所述第一浅槽场氧底部的所述多晶硅赝埋层和所述第一P型掺杂区组成发射区，在所述发射区的顶部的所述第一浅槽场氧中形成有深孔接触，该深孔接触和所述发射区相接触并引出发射极；由所述第二浅槽场氧和所述第三浅槽场氧底部的所述多晶硅赝埋层和所述第一P型掺杂区组成集电区，在所述集电区的顶部的所述第二浅槽场氧和所述第三浅槽场氧中分别形成有和所述集电区接触的深孔接触，位于所述第二浅槽场氧中的所述深孔接触引出第一集电极、位于所述第三浅槽场氧中的所述深孔接触引出第二集电极。