[发明专利]一种曝光方法及曝光采用的掩膜版有效
| 申请号： | 201110358787.5 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103105738A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 王辉;王伟斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/54 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种曝光方法及曝光采用的掩膜版，该方法包括：在掩膜版形成图形后，在图形中的透明区域上形成激励区域；采用该掩膜版进行曝光，掩膜版图形中的激励区域吸收了第一波长的曝光光源后，激励出第二波长的光源，将掩膜版图形通过投影透镜转移到硅片的光刻胶层上；硅片的光刻胶层进行显影后，在光刻胶层上形成图形。这样，就不会使得曝光能量被掩膜版夺走，不会使得光发散，在半导体器件特征尺寸缩小的情况下，防止曝光过程中的掩射现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 方法 采用 掩膜版 | ||
【主权项】：
一种曝光方法，其特征在于，该方法包括：在掩膜版形成图形后，在图形中的透明区域上形成激励区域；采用该掩膜版进行曝光，掩膜版图形中的激励区域吸收了第一波长的曝光光源后，激励出第二波长的光源，将掩膜版图形通过投影透镜转移到硅片的光刻胶层上；硅片的光刻胶层进行显影后，在光刻胶层上形成图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110358787.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光度测定中可用动态范围的增大
- 下一篇：一种高目煤粉雾化装置
