[发明专利]基于激光掺杂制备发射极的n型晶体硅太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于激光掺杂制备发射极的n型太阳电池的制备方法，该方法是在旋涂有硼酸的n型基体上用全激光面扫描的方法制备发射极，随后采用Al2O3/SiO2叠层介质膜钝化电池前后表面，前表面镀SiNx减反膜，背面采用激光烧蚀技术形成局域开孔，最后用常规丝网印刷和烧结的方法形成电极并制成电池。本发明方法工序简单、成本低、利于生产高效率的太阳电池，可以大规模化生产。

主权项

根据权利要求1所述的基于激光掺杂制备发射极的n型太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对晶体硅片进行清洗制绒，在该晶体硅片前表面涂敷硼酸；(2)在涂有硼酸的晶体硅片的前表面利用激光面扫描的方法制成电池的P‑N结，并清洗；(3)采用Al2O3/SiO2叠层介质膜钝化电池前后表面；(4)在电池的前表面镀SiNx减反膜，电池背面采用激光烧蚀技术形成局域开孔；(5)采用丝网印刷制电极及烧结测试，完成电池的制备过程。