[发明专利]一种薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法无效
申请号: | 201110356721.2 | 申请日: | 2011-11-11 |
公开(公告)号: | CN102368513A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 贾海军;冯燕;张丽;王辉;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 保定天威集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 唐山顺诚专利事务所 13106 | 代理人: | 于文顺 |
地址: | 071051 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜制备方法,特别是适合薄膜太阳能电池应用的双结构绒面透明电极,属于透明导电氧化物薄膜技术领域。技术方案是:本发明提出首先对玻璃衬底进行处理获得绒面结构(绒面尺寸大小可调,例如较大尺寸的绒面),然后沉积TCO薄膜,此时薄膜具备与玻璃衬底相近的绒面结构,再通过湿法刻蚀获得另外一种尺寸的绒面织构(绒面尺寸大小可调,例如较小尺寸的绒面),从而获得双结构的绒面TCO薄膜,拓展TCO薄膜对不同波段光的散射能力,拓宽电池对太阳光谱的利用,提高薄膜电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 电池 结构 透明 导电 氧化物 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于包含如下工艺步骤:①利用等离子体刻蚀的方式对玻璃基片进行前处理轰击,在玻璃表面形成绒面,通过改变等离子体的气体电离电压、离子聚焦电压、等离子体束流以及等离子体轰击真空度,在玻璃衬底上刻蚀出绒面织构;②在绒面玻璃表面采用镀膜技术制备TCO透明导电薄膜,通过改变TCO沉积参数来获得不同结构及电学性能的TCO薄膜,此时TCO薄膜具有与玻璃衬底相似的绒面织构;③对玻璃表面的TCO薄膜进行湿法刻蚀,通过改变刻蚀溶液的种类、浓度、温度、刻蚀时间、TCO玻璃在溶液中运动的速率,获得相对应的绒面织构,该TCO薄膜表面刻蚀产生的绒面织构与玻璃衬底的绒面织构的特征尺寸范围不同时,使整个TCO薄膜具有双结构的绒面织构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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