[发明专利]一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110355476.3 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107188A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;刘冬华;董金珠;钱文生;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构，包括：集电区上方形成有基区、N型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离位于N型膺埋层上方；集电区上形成有金属硅化物通过接触孔连接金属连线；N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；发射区形成在基区和浅沟槽隔离上方，发射区上方形成有金属硅化物；其中，发射区上方的金属氧化物位于发射区上方两侧边缘且与发射区相邻，其通过接触孔引出连接金属连线；二氧化硅介质层位于发射区的上方，N型多晶硅层位于二氧化硅介质层上方。本发明还涉及一种所述寄生PNP器件结构的制造方法。本发明的寄生PNP器件结构与传统寄生PNP器件比较能提高电流增益效果，能用作高速、高增益射频电路中的输出器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige hbt 工艺 中的 寄生 pnp 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiGe HBT工艺中的寄生PNP器件结构，包括：集电区其上方形成有基区、N型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离位于N型膺埋层上方，基区与N型膺埋层以及浅沟槽隔离相邻；集电区上形成有金属硅化物通过接触孔连接金属连线；N型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；发射区形成在基区和浅沟槽隔离上方，发射区上方形成有金属硅化物，发射区和其上方的金属硅化物两侧具有第一隔离侧墙；其特征是：发射区上方的金属氧化物位于发射区上方两侧边缘且与发射区相邻，其通过接触孔引出连接金属连线，发射区上方的金属氧化物之间形成有二氧化硅介质层、N型多晶硅层和第二隔离侧墙；二氧化硅介质层位于发射区的上方，N型多晶硅层位于二氧化硅介质层上方，第二隔离侧墙位于二氧化硅介质层和N型多晶硅层两侧。
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