[发明专利]具有调制掺杂分布布拉格反射层的发光二极管无效
| 申请号： | 201110352193.3 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102427105A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 陈凯轩;张双翔;蔡建九;林志伟;林志园 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/02 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 李宁;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有调制掺杂分布布拉格反射层的发光二极管，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上，分布布拉格反射层由两种不同材料组成，在分布布拉格反射层的两种不同材料中掺入掺杂源，并在两种材料的界面处采用Delta掺杂。本发明因为分布布拉格反射层具有调制掺杂结构，可以有效降低发光二极管的正向工作电压，减少光吸收，提高发光二极管的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 调制 掺杂 分布 布拉格 反射层 发光二极管 | ||
【主权项】：
具有调制掺杂分布布拉格反射层的发光二极管，其特征在于：提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上，分布布拉格反射层由两种不同材料组成，在分布布拉格反射层的两种不同材料中掺入掺杂源，在两种材料的界面处采用Delta掺杂。
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