[发明专利]一种AlGaN单晶制备方法无效
| 申请号： | 201110350936.3 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102443842A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 曹永革;童浩;刘著光;邓种华;黄集权 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B1/10 | 分类号： | C30B1/10;C30B29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种AlGaN单晶的制备方法,本方法所需装置简单，利用金属Ga源和单晶AlN在防止氧化的情况下将Ga扩散进AlN单晶形成AlGaN.通过X射线衍射结果分析所制备的AlGaN单晶体具有高铝组分。所生长的AlGaN单晶有一定使用价值，该AlGaN单晶衬底可供AlGaN等III-N半导体材料薄膜同质外延之需。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于AlGaN晶体制备方法，包括如下步骤：将金属镓和AlN单晶混合; 将得到的混合物放入加热体系内，排除其内大气成分；将体系慢慢升温，在室温至400 oC阶段通以保护性气体，在300‑500 oC期间通少量还原性气体；将以上所述体系继续加热至800 oC‑1300 oC，并恒温1天以上，期间保持通以保护性气体维持系统正压，利用热扩散效应使金属Ga掺入AlN单晶生成AlGaN；待以上步骤所述的体系加热程序结束及自然冷却，得到目标产物。
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