[发明专利]用DPN氮氧化硅作为SONOS 存储介质层的方法有效
| 申请号： | 201110349894.1 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446964A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 黄奕仙;杨斌;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用DPN氮氧化硅作为SONOS存储介质层的方法，包括隧穿氧化层、存储介质层和阻挡氧化层，存储介质层由氮氧化硅构成，所述存储介质层在靠近阻挡氧化层的氮氧化硅中含有较多的氮，而在靠近隧穿氧化层的氮氧化硅中含有较多的氧。制备方法，包括在隧穿氧化层上生长本体氧化层；将氮离子注入到本体氧化层中，并使得靠近隧穿氧化层的一侧中含有较多的氧，另一侧中含有较多的氮，形成存储介质层。本发明利用氮氧分布不均匀的氮氧化硅作为存储介质层，其结构简单，具有较高的擦写速度和电荷保持性，并且其制备工艺对常规的制造工艺过程改动较少，只涉及其中的ONO结构，容易实现而不需花费较大成本。 | ||
| 搜索关键词： | dpn 氧化 作为 sonos 存储 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种用DPN氮氧化硅作为SONOS 存储介质层的ONO结构，其特征在于，所述ONO结构包括隧穿氧化层、存储介质层和阻挡氧化层，所述隧穿氧化层和阻挡氧化层由氧化硅构成，所述存储介质层由氮氧化硅构成，所述存储介质层在靠近阻挡氧化层的氮氧化硅中含有较多的氮，而在靠近隧穿氧化层的氮氧化硅中含有较多的氧。
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