[发明专利]晶片和切割晶片的方法有效
| 申请号： | 201110349848.1 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102354692B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | J.巴斯卡兰;G.米科利;F.斯特芬;A.瓦特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/58;H01L21/78;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 曲宝壮,蒋骏 |
| 地址： | 德国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶片和切割晶片的方法。一种包括多个芯片的晶片，所述芯片中的每一个通过包括减小了宽度的切口线区域彼此隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片，包括：衬底；设置在衬底上的层堆叠；以及横向分布在晶片内的多个电路，所述电路通过一个或多个切口线区域彼此分开，其中所述层堆叠包括在所述切口线区域内的导电材料，所述导电材料围绕所述多个电路中的每一个沿周边连续形成为闭合回路，以及沿垂直于晶片横向延伸的方向连续形成为在所述层堆叠的层之内的物理路径连接，其中所述导电材料与衬底连接，其中所述导电材料与所述切口线区域一样宽，其中所述切口线区域包括小于5μm的宽度。
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