[发明专利]具有埋入式结的垂直晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110349400.X | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102468181A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 朴恩实;殷庸硕;卢俓奉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露了一种具有埋入式结的垂直晶体管及其制造方法。该方法包括：在半导体基板中形成沟槽以形成第一壁体及第二壁体，其中该沟槽具有数个包括该第二壁体的第一侧面及该第一壁体的第二侧面的侧壁；形成具有开口的单侧接触掩模，该开口选择性地只露出该第二壁体的该第一侧面的一部分；及通过将具有不同扩散率的杂质透过该第一侧面的露出的部分扩散至该第二壁体来形成第一杂质层及围绕该第一杂质层的第二杂质层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 埋入 垂直 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造垂直晶体管的结的方法，包括：在半导体基板中形成沟槽以形成第一壁体及第二壁体，其中该沟槽具有数个包括该第二壁体的第一侧面及该第一壁体的第二侧面的侧壁；形成具有开口的单侧接触掩模，该开口选择性地只露出该第二壁体的该第一侧面的一部分；及通过将具有不同扩散率的杂质透过该第一侧面的露出的部分扩散至该第二壁体来形成第一杂质层及围绕该第一杂质层的第二杂质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110349400.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶片支承板及晶片支承板的使用方法
- 下一篇：编码设备、编码方法和程序
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
