[发明专利]半导体器件及其钨塞填充方法有效
| 申请号： | 201110348659.2 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094202A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 周君 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种钨塞填充方法，包括：提供基底，基底包括需填充金属钨的若干孔洞；在孔洞内形成钨种子层，钨种子层在孔洞开口的棱角处的沉积速率大于孔洞内部的沉积速率；在钨种子层上形成钨膜层，填充孔洞内部，在钨膜层的沉积过程中，采用腐蚀性物质去除孔洞开口处的金属钨，以避免在所述孔洞开口处累积钨。本发明通过在钨膜层的形成过程中采用腐蚀性物质出去孔洞开口出的金属钨，保证了在钨膜层的沉积过程中孔洞开口处不会过多的累积金属钨，进而可使钨膜层的沉积过程中孔洞开口处有足够的宽度，使金属钨能够填满孔洞，从而减小了钨塞填充过程中产生的空洞的大小，减轻了钥匙孔缺陷，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种钨塞填充方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括需填充金属钨的若干孔洞；在所述孔洞内形成钨种子层，所述钨种子层在孔洞开口的棱角处的沉积速率大于孔洞内部的沉积速率；在所述钨种子层上形成钨膜层，所述钨膜层将所述孔洞内部填充，其中，在所述钨膜层的沉积过程中，采用腐蚀性物质去除孔洞开口处的金属钨，以避免在所述孔洞开口处累积金属钨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
