[发明专利]一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110348592.2 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103094328A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区的两侧；所述浅沟槽隔离底部形成有P型膺埋层和N型膺埋层，所述N型膺埋层与集电区相连；所述集电区和浅沟槽隔离上形成有发射区和介质层，所述介质层与发射区相邻且部分发射区位于介质层上方；隔离侧墙形成于所述介质层和发射区两侧；所述N型膺埋层和P型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；所述发射区通过接触孔引出连接金属连线。本发明还公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构的制造方法。本发明的寄生PNP器件结构能作为高速、高增益HBT电路中的输出器件，无需额外的工艺条件即能为HBT电路提供多一种器件选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige bicmos 工艺 中的 寄生 pnp 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构，其特征是，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区的两侧；所述浅沟槽隔离底部形成有P型膺埋层和N型膺埋层，所述N型膺埋层与集电区相连；所述集电区和浅沟槽隔离上形成有发射区和介质层，所述介质层与发射区相邻且部分发射区位于介质层上方；隔离侧墙形成于所述介质层和发射区两侧；所述N型膺埋层和P型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；所述发射区通过接触孔引出连接金属连线。
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