[发明专利]多芯片组大功率LED基板制备方法

摘要

多芯片组大功率LED基板制备方法，涉及LED基板制备方法。解决现有LED器件在LED金属封装中热膨胀系数不匹配、高分子绝缘层的热导率较低，从而导致LED失效等问题。它以聚碳硅烷、氮化铝粉体、氧化钇为原料，在玛瑙球磨罐中与二甲苯或四氢呋喃进行球磨混合，获得混合浆料后悬涂在洁净的钨铜合金表面并进行干燥；置于铜片表面在真空管式炉中进行热处理后冷却至室温，即获得本发明的多芯片组大功率LED基板。本发明制备的多芯片组大功率LED基板绝缘性能高、热导率高、热膨胀系数与半导体材料相匹配，并且可以简化LED封装结构。本发明适用于多芯片组大功率LED基板的制备。

主权项

多芯片组大功率LED基板制备方法，其特征是：它由以下步骤实现：步骤一、量取质量百分比为30％～60％的聚碳硅烷PCS和质量分数比为40％～70％氮化铝AlN，并放入玛瑙球磨罐中；步骤二、向玛瑙球磨罐中滴入二甲苯或四氢呋喃，并采用行星式球磨机在转速为20r/s～30r/s的条件下进行球磨混合，所述球磨混合持续2h～6h后，获得混合浆料；步骤三、将步骤二获得的混合浆料悬涂在钨铜合金基板表面，并在室温下干燥5h～10h，获得带有预置涂层的钨铜合金基板；步骤四、将步骤三获得的带有预置涂层的钨铜合金基板放置在厚度为0.4mm～0.6mm的铜片表面，并送入真空管式炉中进行热处理；所述热处理的过程是：向真空管式炉中充入纯度为98.5％～99.9％的氮气，然后，以1℃/min～5℃/min的升温速率将真空管式炉的温度提升至1100℃～1400℃，并保温1h～2h，然后再以2～3℃/min的降温速率降到500℃，获得由铜片承载的热处理后的钨铜合金基板；步骤五、将步骤四获得的由铜片承载的钨铜合金基板在真空管式炉中自然冷却至室温后取出，并去除铜片，获得多芯片组大功率LED基板。