[发明专利]制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110344432.0 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103094214A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底包括P型晶体管区和N型晶体管区，且其上依次形成有栅介电层和覆盖层；b）在所述覆盖层上形成暴露所述P型晶体管区的光刻胶层；c）执行氮处理工艺，以在所述P型晶体管区的所述栅介电层和所述覆盖层中掺杂氮；以及d）去除所述光刻胶层。通过在P型晶体管区内的栅介电层和覆盖层的界面处掺杂氮原子来取代界面处的氧原子，可以提高P型晶体管区内的覆盖层的有效功函数值，降低P型晶体管的阈值电压，进而使覆盖层可以同时与P型晶体管区和N型晶体管区的功函数层相匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底包括P型晶体管区和N型晶体管区，且其上依次形成有栅介电层和覆盖层；b）在所述覆盖层上形成暴露所述P型晶体管区的光刻胶层； c）执行氮处理工艺，以在所述P型晶体管区的所述栅介电层和所述覆盖层中掺杂氮；以及d）去除所述光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
