[发明专利]一种由非晶硅/晶体硅/β-FeSi2组成的异质结太阳电池

摘要

本发明公开了一种由非晶硅/晶体硅/β-FeSi2组成的异质结太阳电池，其特征在于：包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、p+型非晶硅层、p型晶体硅层、i型β-FeSi2层、n+型非晶硅层和背金属电极，形成P+PIN+异质结结构。本发明的太阳电池，非晶硅层具有宽的禁带宽度，同时对电池表面形成良好的表面钝化，使得电池开路电压增大，温度系数降低，高温性能明显改善；窄带隙的β-FeSi2与晶体硅同时作为光吸收层，有效拓展了晶硅电池的光谱响应范围，特别是长波段光响应，提高了电池的短路电流；由于β-FeSi2的光吸收系数高，所需厚度小，并能进一步减小晶硅层厚度，降低材料成本。

主权项

一种由非晶硅/晶体硅/β‑FeSi2组成的异质结太阳电池，其特征在于：包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、p+型非晶硅层、p型晶体硅层、i型β‑FeSi2层、n+型非晶硅层和背金属电极，形成P+PIN+异质结结构。