[发明专利]一种用于原子层沉积设备的进气方法无效
| 申请号： | 201110339697.1 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102392228A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 饶志鹏;夏洋;陈波;李超波;万军;赵珂杰;黄成强;陶晓俊;李勇滔;刘键;石莎莉;江莹冰 | 申请（专利权）人： | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及原子层沉积设备技术领域，具体涉及一种用于原子层沉积设备的进气方法。所述进气方法包括：将两种或两种以上前驱体源分别通过载气运输和/或载气吹扫的方式输送到原子层沉积反应腔中。本发明能够实现两路或多路同时进气，在满足ALD沉积方式的同时，增加适合用ALD设备沉积薄膜的前躯体的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 原子 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于原子层沉积设备的进气方法，其特征在于，所述进气方法包括：将两种或两种以上前驱体源分别通过载气运输和/或载气吹扫的方式输送到原子层沉积反应腔中。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
