[发明专利]一种制作芯片上熔丝窗口的方法及熔丝窗口有效
| 申请号： | 201110338608.1 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094188A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制作芯片上熔丝窗口的方法及芯片上的熔丝窗口，以增加芯片上覆盖在多晶熔丝区域的钝化层的厚度，降低在同时对芯片中的压焊块区域和熔丝窗口进行刻蚀过程中，由于刻蚀气体对熔丝窗口的介质层的刻蚀速度大于压焊块区域的氮化钛层的刻蚀速度而损坏熔丝窗口中的多晶熔丝区域的几率。方法包括：在芯片硅衬底上的多晶熔丝区域两侧设置场氧化层，设置在多晶熔丝区域两侧的场氧化层之间形成凹槽，所述多晶熔丝区域位于所述凹槽底部；在所述硅衬底上设置介质层，所述介质层覆盖所述硅衬底、场氧化层和所述多晶熔丝区域；在所述介质层上沉积钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 芯片 上熔丝 窗口 方法 | ||
【主权项】：
一种制作芯片上熔丝窗口的方法，其特征在于，包括：在芯片硅衬底上的多晶熔丝区域两侧设置场氧化层，设置在多晶熔丝区域两侧的场氧化层之间形成凹槽，所述多晶熔丝区域位于所述凹槽底部；在所述硅衬底上设置介质层，所述介质层覆盖所述硅衬底、场氧化层和所述多晶熔丝区域；在所述介质层上沉积钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110338608.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：肾内科用肾脏穿刺控制器
- 下一篇：射钉枪的钉匣
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
