[发明专利]一种VDMOS器件及其的形成方法无效
| 申请号： | 201110335265.3 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102339867A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种VDMOS器件，包括：衬底及外延层；位于所述外延层的栅极氧化层及栅极多晶硅层；外延层内的阱区及位于阱区内的源区；所述栅极氧化层包括底部栅极氧化层及位于所述底部栅极氧化层表面的抬高栅极氧化层，与所述栅极氧化层相对的外延层内形成有离子掺杂区，其掺杂类型与所述阱区的掺杂离子类型相同。通过形成抬高栅极氧化层，以增加所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的栅极氧化层厚度，降低所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的电容值，提高VDMOS的开关速度；通过所述离子掺杂区以增加栅极氧化层相对的外延层内耗尽层的宽度，降低所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的电容值，提高VDMOS的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括正面及与所述正面相对的背面；位于所述衬底正面的外延层；位于所述外延层表面的栅极结构，所述栅极结构包括栅极氧化层及位于栅极氧化层表面的栅极多晶硅层；分别位于所述栅极结构两侧外延层内的阱区及位于阱区内的源区；位于所述衬底背面的漏极金属层；其特征在于，所述栅极氧化层包括底部栅极氧化层及位于所述底部栅极氧化层表面的抬高栅极氧化层，所述抬高栅极氧化层用以增加所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的栅极氧化层厚度，降低所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的电容值；与所述栅极氧化层相对的外延层内形成有离子掺杂区，所述离子掺杂区的掺杂离子类型与所述阱区的掺杂离子类型相同。
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