[发明专利]一种太阳能电池片的制造方法无效
| 申请号： | 201110333979.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102339907A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 孔繁敏;孙湘航;司继良;张小翠 | 申请（专利权）人： | 山西纳克太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 卢茂春 |
| 地址： | 030032 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种太阳能电池片的制造方法，包括以下工艺步骤：（一）将金属硅在高周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅，并对熔融硅进行造渣除硼、一次直拉除金属、连续真空除磷、二次直拉得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅；（二）将6N以上的太阳能级多晶硅送入粉体制备设备，并制成太阳能级多晶硅微纳米粉体；（三）将太阳能级多晶硅微纳米粉体置于成型设备，将太阳能级多晶硅微纳米粉体制成太阳能级多晶硅片；（四）将太阳能级多晶硅片制作成太阳能级多晶电池片。本发明从金属硅到太阳能级多晶硅的提纯生产过程是完全没有酸碱参与处理的，把多晶硅提纯、多晶硅微纳米粉制备、热压成型、电池片制作相结合在一个生产系统里面完成。制作工艺投入少、流程短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池片的制造方法，包括以下工艺步骤：（一）将金属硅在高周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅，并对熔融硅进行造渣除硼、一次直拉除金属、连续真空除磷、二次直拉得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅；（二）将6N以上的太阳能级多晶硅送入粉体制备设备，并制成太阳能级多晶硅微纳米粉体；（三）将太阳能级多晶硅微纳米粉体置于成型设备，将太阳能级多晶硅微纳米粉体制成太阳能级多晶硅片；（四）将太阳能级多晶硅片制作成太阳能级多晶电池片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
