[发明专利]一种提高GaN基LED发光效率的外延方法无效
| 申请号： | 201110330656.6 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102418146A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;王江波;魏世祯;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效提高GaN基LED发光效率的外延生长方法，该方法是在传统的GaN基LED结构：衬底上的缓冲层、uGaN层、nGaN、n型电流扩展层、n型空间层、量子阱有源区、p型电子阻挡层、p型GaN、接触层的基础上，在n型电流扩散层和n型空间层之间加入一步表面处理的程序，将从衬底和GaN界面延伸至电流扩散层的缺陷以及应力进行破坏和释放，之后再通过生长条件的控制将材料的表面恢复平整，然后再生长量子阱有源区。结果表明，和传统的生长技术相比，这样生长的量子阱受缺陷和应力的影响较小，能有效的提高样品的发光强度。本发明适用于蓝绿光波段的GaN基LED的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan led 发光 效率 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种提高GaN基LED发光效率的外延生长方法，该芯片包括衬底以及依次层叠于衬底上的缓冲层、u‑GaN层、n型 GaN、n型电流扩展层、n型空间层、量子阱有源区、p型电子阻挡层、p‑GaN、接触层，其特征在于：在n型电流扩展层和n型空间层之间先通入具有表面处理作用的气体进行表面处理，然后再通过生长条件的控制将表面恢复平整，在n型电流扩展层与n型空间层之间形成表面处理层、n型表面恢复层。
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