[发明专利]改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法，包括步骤：1)涂布光刻胶，图形曝光，定义硅通孔的尺寸大小；2)预淀积一层聚合物；3)预刻蚀，在步骤2)的聚合物表面打开缺口；4)在深沟槽侧壁和底部淀积一层聚合物；5)利用高能量等离子体，进行第一次深沟槽干法刻蚀，打开深沟槽底部的聚合物；6)利用低能量等离子体，进行第二次深沟槽干法刻蚀；7)循环进行步骤4)至6)，直至达到所要求的硅通孔深度。该方法利用三步淀积刻蚀交替循环干法刻蚀工艺，控制了硅通孔的横向开口，从而在满足设计所需的较大深度的同时，保证了硅通孔的高深宽比，进而保证了后续金属物填充后的电路性能。

主权项

改善硅通孔横向开口的干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在二氧化硅介质层层间膜上涂布光刻胶，图形曝光，定义出硅通孔的尺寸大小；2)预淀积一层聚合物；3)预刻蚀，在步骤2)预淀积的聚合物表面打开缺口；4)在深沟槽的侧壁和底部淀积一层聚合物；5)利用高能量等离子体，进行第一次深沟槽干法刻蚀，打开深沟槽底部的聚合物；6)利用低能量等离子体，进行第二次深沟槽干法刻蚀；7)循环进行步骤4)至6)，直至达到所要求的硅通孔深度。