[发明专利]导电通孔结构无效
| 申请号： | 201110324369.4 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102800643A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张国钦;谢玉宸 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；位于该衬底上方的接触焊盘；在该衬底上方延伸并在该接触焊盘上方具有开口的钝化层，该开口具有第一宽度；在该开口内的导电通孔；和具有完全覆盖导电通孔的第二宽度的导电柱，其中第一宽度与第二宽度的比值是约0.15至0.55。本发明还提供了一种导电通孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；位于所述衬底上方的接触焊盘；在所述衬底上方延伸并在所述接触焊盘上方具有开口的钝化层，所述开口具有第一宽度；在所述开口内的导电通孔；具有完全覆盖所述导电通孔的第二宽度的导电柱，其中所述第一宽度与所述第二宽度的比值是约0.15至0.55。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110324369.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
