[发明专利]一种刻蚀第一金属层的方法

摘要

本发明提供了一种第一金属层的刻蚀方法，通过钨塞平坦化，降低了钨塞与层间介质底部层之间的台阶，增加了阻挡层溅镀过程中的覆盖性，从而降低了电镀填空洞缺陷的发生。

主权项

一种第一金属层刻蚀方法，其特征在于，钨插塞处于层间介质中，且所述钨插塞上表面与所述层间介质上表面处于同一平面内；在所述层间介质和所述钨插塞上表面覆盖碳化硅层，在所述碳化硅层上表面由下往上依次覆盖有低介电层、TEOS沉积层、TiN层和SiON层；进行刻蚀，刻蚀步骤包括：步骤1，在所述SiON层上方依次覆盖底部抗反射层和光刻胶，并在钨插塞上方的光刻胶处形成开口，暴露出底部抗反射层；步骤2，通过步骤1中所述开口进行刻蚀至所述TEOS沉积层，但不刻蚀至所述低介电层；步骤3，去除剩余光刻胶和底部抗反射层，通过步骤2中形成的刻蚀开口进行进一步刻蚀，刻蚀至所述层间介质，使刻蚀区域的层间介质上表面低于周围碳化硅层和钨插塞上表面；步骤4，对高于刻蚀后层间介质上表面的钨插塞进行平坦化，以降低所述钨插塞相对于刻蚀区域层间介质上表面的相对高度；步骤5，去除剩余的SiON层，并将剩余TiN层厚度减小。