[发明专利]检测外延硅缺陷的方法无效
| 申请号： | 201110322043.8 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103063729A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 孙勤;高杏;钱志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/61 | 分类号： | G01N27/61 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测外延硅缺陷的方法，在硅片外延层上生长热氧化层，硅片外延层与硅片衬底同型；对硅片表面注入电荷，通过表面电压测量，得到硅片各位置的热氧化层与外延层界面的热氧化浅层缺陷寿命；在热氧化层表面产生感应电荷，同理也可得到硅片各位置的感应电荷复合寿命；如果该硅片各位置的热氧化浅层缺陷寿命大于设定值，则以该硅片上各位置的感应电荷复合寿命的长短表示各位置的硅片外延层的缺陷程度。本发明的检测外延硅缺陷的方法，可以定性、定量判定硅片外延层缺陷产生的程度和位置，更准确、更全面。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 外延 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种检测外延硅缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在硅片外延层上生长热氧化层，硅片外延层与硅片衬底同型；二.对硅片表面注入电荷，然后通过测量表面电压得到硅片各位置的热氧化层与外延层界面的热氧化浅层缺陷寿命；在热氧化层表面产生感应电荷，同样通过测量表面电压得到硅片各位置的感应电荷复合寿命；三.如果该硅片各位置的热氧化浅层缺陷寿命大于设定值，则以该硅片上各位置的感应电荷复合寿命的长短表示各位置的硅片外延层的缺陷程度。
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