[发明专利]P型场效应晶体管的应变结构有效
| 申请号： | 201110317907.7 | 申请日： | 2011-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102456740A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 郑振辉;冯家馨;黄立平;吕伟元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在p型场效应晶体管中，在基板的顶面的上方形成成对隔离件。沟道凹进腔包括在成对隔离件之间的基板顶面上中的凹部。栅叠层具有位于沟道凹进腔中的底部和在沟道凹进腔的外部延伸的顶部。源极/漏极(S/D)凹进腔具有在基板顶面以下的底表面和侧壁。(S/D)凹进腔具有在栅叠层以下延伸的部分。应力材料填充S/D凹进腔。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 应变 结构 | ||
【主权项】：
一种p型场效应晶体管，包括：基板，具有顶面；成对隔离件，在所述基板顶面的上方；沟道凹进腔，包括在所述成对隔离件之间的所述基板顶面中的凹部；栅叠层，具有位于所述沟道凹进腔中的底部和在所述沟道凹进腔外部延伸的顶部；源极/漏极(S/D)凹进腔，包括在所述基板顶面以下的底面和侧壁，其中，所述S/D凹进腔包括在所述栅叠层以下延伸的部分；应力材料，填充所述S/D凹进腔；以及源极/漏极(S/D)外延，基本一致地围绕所述S/D凹进腔的所述底面和侧壁，其中，所述S/D外延包括设置在所述栅叠层和所述S/D凹进腔之间并且进一步在所述栅叠层以下延伸的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110317907.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种粉末涂料粉碎机机架
- 下一篇：点灯电路的控制方法及其所适用的点灯电路
- 同类专利
- 专利分类
