[发明专利]LDMOS晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201110315404.6 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103050528A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 曹国豪;郑大燮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LDMOS晶体管及其制作方法，通过在其源区、漏区之间设置多个STI结构，提高了晶体管的击穿电压，避免了STI结构宽度尺寸扩大时其底部中央区域突起的问题；在现有LDMOS晶体管制作工艺的基础上，本发明中LDMOS晶体管的制作没有增加额外的制造工艺，降低了制作的复杂程度；形成多个STI结构之后，后续的制作工艺不需变更，避免了影响位于同一半导体衬底上的其他器件某些特性的可能；也能避免影响该晶体管本身的一些特性。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内设有漂移区、与所述漂移区存在间距的阱区；位于所述阱区内的源区；位于所述漂移区内的漏区、至少两个STI结构，所述STI结构均位于所述漏区与所述源区之间，距离所述漏区最远的STI结构与所述漂移区的远离所述漏区的一侧存在间距；位于所述半导体衬底上的栅极，所述栅极的一侧延伸至所述源区上方，另一侧延伸至靠近所述源区的STI结构的上方。
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