[发明专利]精确控制EB结位置和EB结反向击穿电压的结构有效
| 申请号： | 201110310522.8 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050516A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 韩峰;刘冬华;胡君;段文婷;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种精确控制锗硅异质结三极管EB结位置及其反向耐压的结构，包括是集电区，基区和发射区；集电区由有源区通过N型掺杂构成；基区有锗硅外延生长构成，生长过程中掺入P型杂质；而发射区则是由多晶硅构成；基区外延层中的覆盖层中的掺杂类型为N型。本发明主要是优化基区的掺杂分布，将基区外延层中的覆盖层中的掺杂类型由P型的硼(B)替换成N型的磷或者砷(As)。藉由外延生长中精确控制掺入N型杂质的位置和浓度，与原外延中硼的掺杂配合，从而达到精确控制EB结的位置，同时也实现了EB结反向耐压的可调。本发明能增加工艺稳定性，改善面内的均匀性，减少原本为控制EB位置的热过程。 | ||
| 搜索关键词： | 精确 控制 eb 位置 反向 击穿 电压 结构 | ||
【主权项】：
一种精确控制锗硅异质结三极管EB结位置及其反向耐压的结构，其特征在于，包括是集电区(1)，基区(2)和发射区(3)；集电区由有源区通过N型掺杂构成；基区有锗硅外延生长构成，生长过程中掺入P型杂质；而发射区则是由多晶硅构成；基区外延层中的覆盖层中的掺杂类型为N型。
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