[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110310402.8 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102881720B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 陈柏智;余俊磊;姚福伟;许竣为;杨富智;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/417;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所11306 | 代理人： | 陆鑫,高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本披露的实施例包括半导体结构。半导体结构包括第一III‑V化合物层。第二III‑V化合物层设置在第一III‑V化合物层上并且成分与第一III‑V化合物层不同。一界面被限定在第一III‑V化合物层和第二III‑V化合物层之间。栅极设置在第二III‑V化合物层上。源极部件和漏极部件设置在栅极的相对侧上。源极部件和漏极部件中的每个都包括至少部分地嵌入第二III‑V化合物层中的相应金属部件。相应金属间化合物位于每个金属部件之下。每个金属间化合物都与位于界面处的载流子通道接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一III‑V化合物层；第二III‑V化合物层，设置在所述第一III‑V化合物层上，并且成分与所述第一III‑V化合物层不同，其中，在所述第一III‑V化合物层和所述第二III‑V化合物层之间限定一界面；栅极，设置在所述第二III‑V化合物层上；以及源极部件和漏极部件，设置在所述栅极的相对侧上，所述源极部件和所述漏极部件中的每个都包括至少部分地嵌入所述第二III‑V化合物层中的相应金属间化合物，其中，每个金属间化合物都不含Au并且包括Al、Ti或Cu，并且与位于所述界面处的载流子通道接触，介电保护层，所述介电保护层的至少一部分被夹入所述金属间化合物的一部分和所述第二III‑V化合物层的顶面之间，其中，所述介电保护层在蚀刻处理期间保护下面的所述第二III‑V化合物层不受损害；其中，所述金属间化合物由金属、所述第一III‑V化合物层和第二III‑V化合物层的反应形成；其中，每个所述金属间化合物都嵌入所述第二III‑V化合物层、所述载流子通道中和所述载流子通道下方的所述第一III‑V化合物层的顶部中。
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