[发明专利]制备碳薄膜的方法、包含碳薄膜的电子器件和电化学器件有效

专利信息
申请号: 201110309227.0 申请日: 2011-07-22
公开(公告)号: CN102515135A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 李泰雨;崔喜哲;卞善祯 申请(专利权)人: 浦项工科大学校产学协力团
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B05D1/28;B05D3/02;B05D5/12;B05D7/24
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 宋莉
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及制备碳薄膜的方法,和包含该碳薄膜的电子器件和电化学器件。
搜索关键词: 制备 薄膜 方法 包含 电子器件 电化学 器件
【主权项】:
制备碳薄膜的方法,该方法包括:通过使用涂覆工艺在基底上形成聚合物层;在所述聚合物层上形成保护层;和对所述基底进行热处理以在所述基底上形成碳薄膜。
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