[发明专利]一种多晶硅薄膜的制造方法无效
申请号: | 201110307025.2 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN102505139A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 史亮亮 | 申请(专利权)人: | 广东中显科技有限公司 |
主分类号: | C30B1/02 | 分类号: | C30B1/02;C30B29/06;H01L21/324 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 528225 广东省佛山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法,包括:沉积非晶硅;利用激光扫描该非晶硅,使非晶硅初步晶化;对初步晶化的非晶硅退火完成晶化。另外,在激光扫描非晶硅时,还可以在非晶硅上放置掩模。本发明提供的方法可形成具有规则晶粒结构的多晶硅薄膜,均匀性较好。退火温度可以降低至600℃以下使之可以应用于廉价的玻璃衬底。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅薄膜的制造方法,包括:沉积非晶硅;利用激光扫描该非晶硅,使非晶硅初步晶化;对初步晶化的非晶硅退火完成晶化。
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