[发明专利]用于薄膜太阳能电池的激光划线方法及其设备无效

专利信息
申请号: 201110304762.7 申请日: 2011-10-10
公开(公告)号: CN102593238A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 赵军;梅芳 申请(专利权)人: 上方能源技术(杭州)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;B23K26/36
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 赵卫康
地址: 311215 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种激光划线技术,尤其涉及用于薄膜太阳能电池生产的激光划线方法及其设备。该方法包括两道划线P1和P2,P1划线使用激光对透明导电氧化物膜(TCO)层进行划线,P2划线使用激光对半导体膜层进行划线,而两道划线P1和P2均在半导体镀膜之后和背电极镀膜之前的时间内进行,P1划线穿越半导体膜层和透明导电氧化物膜层形成第一沟槽;P2划线穿越半导体膜层形成与第一沟槽相平行的第二沟槽。用于薄膜太阳能电池的划线设备,包括两个或两组激光头,一个或一组用于P1划线,另一个或一组用于P2划线。本发明生产工艺简单、成本低、能优化电池性能和长期稳定性。
搜索关键词: 用于 薄膜 太阳能电池 激光 划线 方法 及其 设备
【主权项】:
用于薄膜太阳能电池的激光划线方法,包括两道划线P1和P2,P1划线使用激光对透明导电氧化物膜层进行划线,P2划线使用激光对半导体膜层进行划线,其特征在于:所述两道划线P1和P2均在半导体镀膜之后和背电极镀膜之前的时间内进行,所述P1划线穿越所述半导体膜层和所述透明导电氧化物膜层形成第一沟槽;所述P2划线穿越所述半导体膜层形成与所述第一沟槽相平行的第二沟槽。
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