[发明专利]用于薄膜太阳能电池的激光划线方法及其设备无效
申请号: | 201110304762.7 | 申请日: | 2011-10-10 |
公开(公告)号: | CN102593238A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 赵军;梅芳 | 申请(专利权)人: | 上方能源技术(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B23K26/36 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 311215 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种激光划线技术,尤其涉及用于薄膜太阳能电池生产的激光划线方法及其设备。该方法包括两道划线P1和P2,P1划线使用激光对透明导电氧化物膜(TCO)层进行划线,P2划线使用激光对半导体膜层进行划线,而两道划线P1和P2均在半导体镀膜之后和背电极镀膜之前的时间内进行,P1划线穿越半导体膜层和透明导电氧化物膜层形成第一沟槽;P2划线穿越半导体膜层形成与第一沟槽相平行的第二沟槽。用于薄膜太阳能电池的划线设备,包括两个或两组激光头,一个或一组用于P1划线,另一个或一组用于P2划线。本发明生产工艺简单、成本低、能优化电池性能和长期稳定性。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 太阳能电池 激光 划线 方法 及其 设备 | ||
【主权项】:
用于薄膜太阳能电池的激光划线方法,包括两道划线P1和P2,P1划线使用激光对透明导电氧化物膜层进行划线,P2划线使用激光对半导体膜层进行划线,其特征在于:所述两道划线P1和P2均在半导体镀膜之后和背电极镀膜之前的时间内进行,所述P1划线穿越所述半导体膜层和所述透明导电氧化物膜层形成第一沟槽;所述P2划线穿越所述半导体膜层形成与所述第一沟槽相平行的第二沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上方能源技术(杭州)有限公司,未经上方能源技术(杭州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110304762.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数字内容管理
- 下一篇:使用概率推进树进行评估的方法和系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的