[发明专利]一种半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201110304750.4 | 申请日： | 2011-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103035480A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属栅制程中电阻的制作方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成高介电常数材料层、第一金属层和多晶硅材料层；去除一部分所述高介电常数材料层、第一金属层和多晶硅材料层，从而形成电阻区域和栅极结构区域；在所述半导体基底上沉积第一层间电介质，并实施化学机械研磨步骤；去除一部分所述电阻区域和栅极结构区域的多晶硅材料层；在所述电阻区域和栅极结构区域沉积第二金属层；在所述多晶硅材料层、第一层间介电层以及第二金属层上沉积第二层间电介质；在所述电阻区域和栅极结构区域的第二金属层上形成接触孔。本发明还涉及一种半导体器件，包括半导体基底，所述半导体基底包括电阻区域和有源区域；还包括位于所述有源区域的高介电常数金属栅极和位于所述电阻区域的电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括电阻区域和有源区域；在所述半导体基底上形成高介电常数材料层、第一金属层和多晶硅材料层；去除一部分所述高介电常数材料层、第一金属层和多晶硅材料层，从而在所述电阻区域形成电阻和在所述有源区域形成栅极结构；在所述半导体基底上沉积第一层间电介质，并实施化学机械研磨步骤；去除所述电阻末端和栅极结构的多晶硅材料层；在所述电阻末端和栅极结构沉积第二金属层；在所述多晶硅材料层、第一层间介电层以及第二金属层上沉积第二层间电介质；在所述第二层间电介质中形成与所述第二金属层连接的接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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