[发明专利]电荷泵电路有效
| 申请号： | 201110301129.2 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102355127A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电荷泵电路，至少包括：第一组正压电荷泵，用于产生第一编程高压，包括串联的m级电荷泵；第二组正压电荷泵与负压电荷泵组，分别用于产生第二编程高压与负高压，均包括串联的k级电荷泵，该第二组正压电荷泵的每级电荷泵均连接一PMOS晶体管源极，每一PMOS晶体管栅极均连接至PMOS管使能信号，该负压电荷泵组的每级电荷泵均连接一NMOS晶体管漏极，每一NMOS晶体管栅极均连接至一NMOS管使能信号，每一PMOS晶体管漏极与对应的NMOS晶体管源极相互连接，并通过一共用电容接至时钟信号，本发明通过使第二组正压电荷泵与负压电荷泵组共享电容，达到了节省面积的目的，同时还可防止PN结正偏。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 电路 | ||
【主权项】：
一种电荷泵电路，至少包括：第一组正压电荷泵，用于产生第一编程高压，其至少包括串联的m级电荷泵；第二组正压电荷泵，用于产生第二编程高压，其至少包括串联的k级电荷泵；以及负压电荷泵组，用于产生负高压，其至少包括串联的k级电荷泵，其中，该第二组正压电荷泵的每级电荷泵均连接一PMOS晶体管源极，每一PMOS晶体管栅极均连接至PMOS管使能信号，该负压电荷泵组的每级电荷泵均连接一NMOS晶体管漏极，每一NMOS晶体管栅极均连接至一NMOS管使能信号，每一PMOS晶体管漏极与对应的NMOS晶体管源极相互连接，并通过一共用电容接至时钟信号。
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