[发明专利]一种提高黄芩毛状根抗低氧能力的方法无效

专利信息
申请号: 201110299913.4 申请日: 2011-09-29
公开(公告)号: CN102352376A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 齐香君;李雅;钱卫东 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C12N15/82 分类号: C12N15/82;C12N15/31;A01H5/06
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种提高黄芩毛状根抗低氧能力的方法。本发明是通过构建含血红蛋白基因的植物表达载体,经农杆菌介导转化黄芩外植体或毛状根获得转基因黄芩毛状根。本发明获得的整合有vgb的黄芩毛状根能够在低溶氧环境下正常生长,在工业化生产过程中间歇通气即可满足毛状根需求,降低生产耗电、节约生产成本,本发明对培养黄芩毛状根生产黄芩药用成分、推进毛状根生产次生代谢产物的工业化进程有着重要意义。
搜索关键词: 一种 提高 黄芩 毛状根抗 低氧 能力 方法
【主权项】:
一种提高黄芩毛状根抗低氧能力的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将vgb基因克隆到植物表达载体中,再将该植物表达载体转化农杆菌,筛选获得整合了vgb的农杆菌菌株;2)将无菌的黄芩外植体或毛状根接种于MS固体培养基上,25~26℃黑暗条件下预培养2~3d;在预培养的黄芩外植体或毛状根上划痕,加入经活化的整合了vgb的农杆菌,并添加浓度为10~200mg/L乙酰丁香酮,感染10~30min后,将黄芩外植体或毛状根转移到含10~50mg/L乙酰丁香酮的MS固体培养基上,25~26℃黑暗培养2~3d,再转移到含抗菌素的MS固体培养基上,25~26℃黑暗培养,诱发毛状根;3)待经农杆菌感染的黄芩外植体或毛状根上长出的毛状根达到2~3cm时,在无菌条件下切下毛状根,将其转移到含抗菌素的MS筛选培养基上,25~26℃黑暗培养,直至农杆菌生长被抑制,然后切取毛状根,获得转vgb基因黄芩毛状根;4)毛状根的继代培养:将切取的转vgb基因黄芩毛状根接种于MS固体培养基上,25~26℃避光培养,每20天继代培养一次;5)毛状根的液体培养:选取MS固体培养基继代培养2次以上、生长旺盛的毛状根,接种到MS液体培养基上,50~100r/min振荡、25~28℃避光培养。
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