[发明专利]超结横向扩散金属氧化物半导体及其制造方法在审
| 申请号： | 201110298660.9 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315273A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 唐树澍 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供超结LDMOS及其制造工艺，无需采用特殊工艺制作超结LDMOS，尤其是超高压LDMOS，简化制作工艺。本发明提供的一种超结LDMOS器件，包括内部设置超结结构的扩散阱，该超结结构深度小于扩散阱深度；本发明提供的一种超结LDMOS制作工艺包括：提供半导体衬底；采用光刻及高温扩散工艺，在半导体衬底中形成扩散阱；在扩散阱上方形成STI；采用离子注入工艺，在扩散阱中形成超结结构，所述超结结构深度小于扩散阱深度；通过后续常规工艺，完成超结LDMOS制作。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结横向扩散金属氧化物半导体，其漏极漂移区包括扩散阱和超结结构，其特征在于，所述超结结构位于扩散阱上方，其深度小于扩散阱深度。
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