[发明专利]LDMOS阵列的版图结构有效
| 申请号： | 201110297918.3 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102412236A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 仲志华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS阵列的版图结构，由内到外包括：以阵列方式排列的多个并联的LDMOS器件，所述多个LDMOS器件的所有源极相连接，所有漏极相连接，所有栅极相连接，所有衬底引出端相连接；一圈漏极环，包围在所述多个LDMOS器件的外围，与所述多个LDMOS器件的漏极不连接且接不同的电位；一圈保护环，包围在所述漏极环的外围，与所述多个LDMOS器件的衬底引出端相连接且接零电位。本发明通过对LDMOS阵列的版图结构进行创新设计，在不影响其性能、不改变其制造工艺的前提下提高LDMOS阵列的可靠性，扩大LDMOS阵列的安全工作范围。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 阵列 版图 结构 | ||
【主权项】：
一种LDMOS阵列的版图结构，其特征是，由内到外包括：以阵列方式排列的多个并联的LDMOS器件，所述多个LDMOS器件的所有源极相连接，所有漏极相连接，所有栅极相连接，所有衬底引出端相连接；一圈漏极环，包围在所述多个LDMOS器件的外围，与所述多个LDMOS器件的漏极不连接且接不同的电位；一圈保护环，包围在所述漏极环的外围，与所述多个LDMOS器件的衬底引出端相连接且接零电位。
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